均温、低出气、免焊端子坂口 Samicon‑MPI 加热膜有多强？

均温、低出气、免焊端子坂口 Samicon‑MPI 加热膜有多强？

5x5mm小巧，窄空间也能实现干度高温

MC0505H尺寸仅5mmx5mm，基板厚度1.8mm，采用高温改性氧化铝陶瓷基板，厚膜贵金属发热回路一体共烧成型，短时高可达1000°C，区别普通MC0505高600°C上限。

很多设备腔体、分析探头、微型治具内部安装空间极其有限，常规筒式加热棒、PI 加热膜无法塞进去，MC0505H可以直接嵌入微型结构内部，完成定点局部加热，不用做大体积发热组件设计。

超高功率密度，秒级极速升降温

室温功率可达50W，功率密度高达200W/cm2，热响应极快，秒级快速升温，支持脉冲式短时高温加热，也可连续恒温运行。

平面面状发热，热量输出均匀，减少局部热点陶瓷基材抗热冲击，可承受频繁冷热循环工况

提示:功率密度很高，严禁空载干烧，必须搭配PID温控+温度传感器闭环控制使用，不能直接通额定电压裸跑。 全无机共烧结构，低释气适配真空洁净工况。

发热回路、陶瓷保护层、引线基座1600°C高温一体烧结，无胶水、无有机粘接层，从源头降低高温下挥发析出风险。

高纯度氧化铝陶瓷绝缘性能优异，高温条件绝缘衰减小，AC150OV耐压，适合半导体腔体光学器件、真空环境使用，不会产生有机物污染镜片、芯片样品。

标配PI引线套管耐温上限300°C;工作温度超过300°C，需要更换选配陶瓷绝缘套管，避免引线老化损坏。

全无机共烧结构，低释气适配真空洁净工况发热回路、陶瓷保护层、引线基座1600°C高温一体烧结，无胶水、无有机粘接层，从源头降低高温下挥发析出风险。

高纯度氧化铝陶瓷绝缘性能优异，高温条件绝缘衰减小，AC1500V耐压，适合半导体腔体、光学器件、真空环境使用，不会产生有机物污染镜片、芯片样品。

标配PI引线套管耐温上限300°C;工作温度超过300°C，需要更换选配陶瓷绝缘套管，避免引线老化损坏。 可靠的一体烧结引线结构，抗振动不易断线引线引脚与陶瓷基板高温烧结融合，不是后期焊接组装，减少焊点失效风险，抗振动，适合仪器设备长期循环工作，降低现场断线故障概。